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NTTFS4928N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1200
11
1000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
Q T
8
800
7
600
400
C oss
6
5
4
3
Q gs
Q gd
T J = 25 ° C
200
0
0
5
C rss
10
15
20
25
30
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 20 A
12 14
16
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
22
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
1
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
20
18
16
14
12
10
8
I D = 20 A
6
0.1
0.01
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
4
2
0
0.1
1 10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
100
25
50 75 100 125
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
15
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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